HAC201-8000系列產(chǎn)品是本公司為晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池量產(chǎn)制造開(kāi)發(fā)的熱絲CVD（HoFCVD）系統(tǒng)，由如下圖所示的主鍍膜機(jī)臺(tái)（基于立式HoFCVD工藝）、上下料自動(dòng)化系統(tǒng)、低價(jià)優(yōu)質(zhì)的熱絲耗材以及全套的baseline工藝構(gòu)成的整套HoFCVD鍍膜裝備技術(shù)。該系統(tǒng)可以IN-IP兩臺(tái)鍍膜機(jī)構(gòu)成，也可I-IN-P三臺(tái)鍍膜機(jī)構(gòu)成，設(shè)備產(chǎn)能8000片/小時(shí)，baseline工藝電池效率可達(dá)25.0%以上。

　　該型號(hào)的IN-IP兩臺(tái)機(jī)構(gòu)成，其基本性能如下表所示：

　　HAC201-8000型號(hào)HoFCVD及上下料自動(dòng)化布局圖（圖片僅供參考）

　　HoFCVD的鍍膜原理是依靠高溫金屬絲催化裂解反應(yīng)氣體（硅烷、氫氣等），生成不帶電的活性基團(tuán)，然后在襯底表面反應(yīng)成膜。其原理與PECVD的依靠高頻電磁場(chǎng)震蕩反應(yīng)生成帶電活性基團(tuán)，然后轟擊襯底表面反應(yīng)成膜是不同的。另，本司對(duì)HoFCVD設(shè)備的構(gòu)造、上下料自動(dòng)化系統(tǒng)都進(jìn)行了革新設(shè)計(jì)，使其鍍膜性能、產(chǎn)能、自動(dòng)化的方便使用程度、整套系統(tǒng)的稼動(dòng)率等方面均有了顯著的進(jìn)步，主要特點(diǎn)如下：
　　產(chǎn)能大，價(jià)格低、運(yùn)營(yíng)成本低：每小時(shí)8000片(166-182mm尺寸)；設(shè)備價(jià)格顯著低于PECVD；運(yùn)營(yíng)成本比PECVD低（~10%），低價(jià)供應(yīng)耗材“熱絲”。
　　鍍膜質(zhì)量好、易于實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備、特氣耗量低：HoFCVD相比于PECVD原理上的優(yōu)點(diǎn)：無(wú)等離子體濺射損傷，提高界面質(zhì)量；特氣消耗量為PECVD的1/10—1/100。反應(yīng)基團(tuán)溫度高，易于實(shí)現(xiàn)微晶硅膜的制備。
　　無(wú)粉塵產(chǎn)生，免NF3刻蝕：提高有效工作時(shí)間（稼動(dòng)率）≥5%，減少特氣消耗和排放處理；
　　非吸盤(pán)式取放硅片：徹底消除吸盤(pán)印，減少碎片率；
　　自動(dòng)化模塊式構(gòu)造：減少設(shè)備宕機(jī)（稼動(dòng)率≥90%），減少設(shè)備維護(hù)難度和備件成本；
　　立式結(jié)構(gòu)：可有效避免粉塵顆粒污染表面，提高連續(xù)生產(chǎn)太陽(yáng)電池填充因子和良品率；
　　設(shè)備占地空間少，節(jié)省廠務(wù)成本。
　　與產(chǎn)線上下游工序兼容性好。
　　詳細(xì)資料請(qǐng)聯(lián)系本公司取得。歡迎各方朋友蒞臨指導(dǎo)，交流洽談合作。
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